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超高光效LED路燈模組
晶力模組散熱實(shí)測(cè)及對(duì)比

我們將含電源總功率60瓦的LED光源模組在室內(nèi)環(huán)境中進(jìn)行自然點(diǎn)亮熱測(cè)試,晶力模組熱測(cè)試數(shù)據(jù)如下:

功率W

時(shí)間

間隔分

環(huán)境℃

散熱器溫度℃

溫升

芯片功率

芯片熱阻℃/W

系統(tǒng)熱阻

芯片工作溫度

60

09時(shí)28分

0

16.8

16.8

0

0.825

12

5.5

32.2

60

09時(shí)30分

2

16.8

27.3

10.5

0.825

12

5.5

42.7

60

09時(shí)31分

3

16.8

30.4

13.6

0.825

12

5.5

45.8

60

09時(shí)33分

5

16.8

35.5

18.7

0.825

12

5.5

50.9

60

09時(shí)35分

7

16.8

37.1

20.3

0.825

12

5.5

52.5

60

09時(shí)37分

9

16.8

39.4

22.6

0.825

12

5.5

54.8

60

09時(shí)39分

11

16.8

41.6

24.8

0.825

12

5.5

57.0

60

09時(shí)41分

13

16.8

43

26.2

0.825

12

5.5

58.4

60

09時(shí)46分

18

16.8

43.5

26.7

0.825

12

5.5

58.9

60

09時(shí)51分

23

17

45.3

28.3

0.825

12

5.5

60.7

60

09時(shí)58分

30

17

45.3

28.3

0.825

12

5.5

60.7

60

10時(shí)03分

35

17.2

46

28.8

0.825

12

5.5

61.4

60

10時(shí)09分

41

17.4

46.5

29.1

0.825

12

5.5

61.9

環(huán)境溫度、散熱器溫度及溫升曲線如下:

QQ截圖20200503101824.jpg

                                             

某標(biāo)桿產(chǎn)品溫度測(cè)試及溫升曲線如下:

功率W

時(shí)間

間隔分

環(huán)境℃

散熱器溫度℃

溫升

芯片功率

芯片熱阻℃/W

系統(tǒng)熱阻

芯片工作溫度

60

08時(shí)37分

0

16.4

16.4

0

0.838

12

7.5

34.0

60

08時(shí)39分

2

16.4

20.4

4

0.838

12

7.5

38.0

60

08時(shí)40分

3

16.4

24.8

8.4

0.838

12

7.5

42.4

60

08時(shí)42分

5

16.4

29.7

13.3

0.838

12

7.5

47.3

60

08時(shí)44分

7

16.4

34

17.6

0.838

12

7.5

51.6

60

08時(shí)46分

9

16.4

37.5

21.1

0.838

12

7.5

55.1

60

08時(shí)48分

11

16.4

39.4

23

0.838

12

7.5

57.0

60

08時(shí)50分

13

16.8

41

24.2

0.838

12

7.5

58.6

60

08時(shí)55分

18

17

44

27

0.838

12

7.5

61.6

60

09時(shí)00分

23

17

45.4

28.4

0.838

12

7.5

63.0

60

09時(shí)07分

30

17

46.6

29.6

0.838

12

7.5

64.2

60

09時(shí)13分

35

17

47.3

30.3

0.838

12

7.5

64.9

60

09時(shí)19分

41

17

47.5

30.5

0.838

12

7.5

65.1

環(huán)境溫度、散熱器溫度及溫升曲線如下:

QQ截圖20200503101902.jpg


  

對(duì)比:

間隔分

標(biāo)桿散熱器

晶力散熱器

標(biāo)桿芯片溫升

晶力芯片溫升

0

0

0

17.556

15.4

2

4

10.5

21.556

25.9

3

8.4

13.6

25.956

29

5

13.3

18.7

30.856

34.1

7

17.6

20.3

35.156

35.7

9

21.1

22.6

38.656

38

11

23

24.8

40.556

40.2

13

24.2

26.2

41.756

41.6

18

27

26.7

44.556

42.1

23

28.4

28.3

45.956

43.7

30

29.6

28.3

47.156

43.7

35

30.3

28.8

47.856

44.2

41

30.5

29.1

48.056

44.5


未標(biāo)題-12312321.jpg

對(duì)比結(jié)果圖表:

QQ截圖20200503102049.jpg

通過(guò)以上對(duì)比,我們可以總結(jié)如下:

1. 晶力光源模組相對(duì)于標(biāo)桿光源模組具有更優(yōu)秀的熱傳導(dǎo)能力,溫升更快。

2. 晶力光源模組系統(tǒng)熱阻更小,對(duì)流導(dǎo)熱更優(yōu)異,芯片實(shí)際工作溫度更低。



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